Renesas lanza el primer semiconductor de gan de bajo voltaje para IA y robótica

Renesas Electronics ha presentado su primer semiconductor de GaN de bajo voltaje, dirigido a aplicaciones como los centros de datos de IA y los robots humanoides. El producto, parte de una serie de transistores discretos de GaN de modo mejorado (E-mode) de 100V, incluye modelos como RTP100E005G1FL y RTP100E2P6G1FL, que ofrecen mejores valores de mérito de conmutación dura y blanda en comparación con dispositivos de GaN similares. El valor de mérito de conmutación dura se reduce hasta en un 35%, mientras que el valor de mérito de conmutación blanda se reduce hasta en un 63%. Los dispositivos de GaN mantienen la compatibilidad con el embalaje basado en silicio, lo que facilita su integración en diseños existentes. La serie ofrece mejoras de eficiencia de un 1% a un 3% en comparación con los diseños basados en silicio, elimina las pérdidas de Qrr y reduce las pérdidas de conmutación en un 40% a un 70%. Renesas adquirió Transphorm en junio de 2024, lo que le permitió entrar en el mercado de GaN y lanzar 15 diseños de referencia. En julio de 2025, Renesas lanzó un FET de GaN de cuarta generación de 650V, y este producto de 100V marca su primera incursión en la tecnología de GaN de bajo voltaje.