Samsung desarrolla znand-t y znand-i para la optimización de la IA

El 12 de octubre de 2026, ZDNET Korea informó que Samsung está desarrollando nuevos productos de memoria flash NAND, adaptados para cargas de trabajo de IA, incluyendo zNAND-T y zNAND-I, además del previamente anunciado zNAND-O. El zNAND-T, donde 'T' significa 'Throughput', está diseñado para mejorar el ancho de banda de lectura y escritura para las aplicaciones de IA en centros de datos, utilizando dies de NAND apilados mediante TSV, similares a los conceptos propuestos por SanDisk y SK Hynix. El zNAND-I, donde 'I' representa IOPS, se centra en mejorar el rendimiento para lecturas y escrituras frecuentes de pequeños datos, como la descarga de KV Cache. Estas tres variantes destacan la evolución de la memoria flash NAND hacia soluciones especializadas para diferentes cargas de trabajo de IA. El informe enfatiza que cada variante de zNAND está optimizada para necesidades específicas de aplicación, marcando un cambio de productos de memoria NAND de uso general. Este desarrollo se alinea con las tendencias de la industria hacia soluciones de almacenamiento personalizadas para entornos impulsados por la IA.