Renesas lança o primeiro semicondutor de potência gan de baixa tensão para IA e robótica

A Renesas Electronics revelou seu primeiro semicondutor de potência GaN de baixa tensão, direcionado para aplicações como centros de dados de IA e robôs humanoides. O produto, parte de uma série de transistores discretos GaN de modo aprimorado (E-mode) de 100V, inclui modelos como RTP100E005G1FL e RTP100E2P6G1FL, oferecendo melhorias nas figuras de mérito de comutação dura e macia em comparação com dispositivos GaN semelhantes. A figura de mérito de comutação dura é reduzida em até 35%, enquanto a figura de mérito de comutação macia é reduzida em até 63%. Os dispositivos GaN mantêm a compatibilidade com embalagens baseadas em silício, facilitando a integração em designs existentes. A série oferece ganhos de eficiência de 1% a 3% em relação a designs baseados em silício, elimina perdas de Qrr e reduz perdas de comutação em 40% a 70%. A Renesas adquiriu a Transphorm em junho de 2024, permitindo sua entrada no mercado GaN e o lançamento de 15 designs de referência. Em julho de 2025, a Renesas lançou um FET GaN de quarta geração de 650V, e este produto de 100V marca sua primeira incursão na tecnologia GaN de baixa tensão.