Samsung desenvolve znand-t e znand-i para otimização de IA

Em 12 de outubro de 2026, a ZDNET Coreia reportou que a Samsung está desenvolvendo novos produtos de flash NAND, adaptados para cargas de trabalho de IA, incluindo zNAND-T e zNAND-I, além do previamente anunciado zNAND-O. O zNAND-T, com 'T' representando Throughput, é projetado para melhorar a largura de banda de leitura e escrita para aplicações de IA em data centers, utilizando dies de NAND empilhados com TSV, semelhantes a conceitos propostos pela SanDisk e pela SK Hynix. O zNAND-I, com 'I' representando IOPS, concentra-se em melhorar o desempenho para leituras e escritas frequentes de pequenos dados, como descarregamento de KV Cache. Essas três variantes destacam o NAND flash evoluindo para soluções especializadas para diferentes cargas de trabalho de IA. O relatório enfatiza que cada variante de zNAND é otimizada para necessidades específicas de aplicação, marcando uma mudança de produtos de NAND de uso geral. Este desenvolvimento está alinhado com as tendências da indústria em direção a soluções de armazenamento personalizadas para ambientes orientados por IA.